EPC2039

功能描述:TRANS GAN 80V BUMPED DIE

制造商:epc

系列:eGaN?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 5V

Vgs(最大值):+6V,-4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):210pF @ 40V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6A,5V

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:模具

封装/外壳:模具

标准包装:1

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